TSMC เพิ่งประกาศแผนสำหรับกระบวนการผลิต 3 นาโนเมตร และ 2 นาโนเมตร ว่ามันจะเริ่มต้นในช่วงสิ้นปีนี้ แต่ฝั่ง Samsung มองว่าช้าไป และถ้าหาก Samsung อยากก้าวขึ้นมาเป้นผู้ผลิตชิป ARM รายใหญ่อีกราย ก็ต้องช่วงชิงความได้เปรียบด้วยการเริ่มการผลิตชิป 3nm จำนวนมากในสัปดาห์หน้า

Samsung มีแววสูญเสียลูกค้ารายใหญ่อย่าง Qualcomm ให้กับ TSMC หลังจากปัญหาด้านความร้อนและการจัดการพลังงานที่มีปัญหาภายใน Snapdragon 8 Gen 1 จนตอนนี้ Qualcomm กำลังตัดสินใจที่จะให้ TSMC ผลิต Snapdragon 8 Gen 2 แทน นั่นก็หมายความว่า Samsung กำลังสูญเสียพันธมิตรที่สำคัญ ยักษ์ใหญ่จากเกาหลีจึงจำเป็นต้องพิสูจน์ตัวเองและหาโอกาสทำสิ่งที่ถูกต้องด้วยชิป 3nm ตามข่าวลือ โหนด 3 นาโนเมตรของ Samsung จะมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 30% ใช้พลังงานลดลง 50% เมื่อเทียบกับกระบวนการผลิต 5 นาโนเมตร

Samsung จะเปลี่ยนไปใช้การออกแบบทรานซิสเตอร์แบบ gate-all-around (GAA) นี่เป็นขั้นตอนต่อไปหลังจาก FinFET เนื่องจากจะช่วยให้โรงหล่อลดขนาดทรานซิสเตอร์ได้โดยไม่กระทบต่อความสามารถในการเหนี่ยวนำกระแสไฟฟ้า ที่น่าสนใจคือ Samsung อาจได้รับความช่วยเหลือจากสหรัฐฯ เพื่อเพิ่มขีดความสามารถในการผลิต